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9月4日，在第十三屆半導體設備與核心部件及材料展（CSEAC 2025）上，中微公司宣布推出六款半導體設備新產(chǎn)品。這些設備覆蓋等離子體刻蝕（Etch）、原子層沉積（ALD）及外延（EPI）等關(guān)鍵工藝。

在CSEAC 2025的開幕式上，中微公司董事長兼總經(jīng)理尹志堯在主旨報告環(huán)節(jié)宣布了上述六款新設備的發(fā)布，并深入闡述了新產(chǎn)品的先進性能與獨特優(yōu)勢。他介紹，中微公司始終以市場與客戶需求為導向，持續(xù)加大研發(fā)力度。公司2025年上半年研發(fā)投入達14.92億元，同比增長約53.70%，研發(fā)投入占公司營業(yè)收入比例約為30.07%，遠高于科創(chuàng)板上市公司10%到15%的平均研發(fā)投入水平。

“目前，公司在研項目涵蓋六大類、超二十款新設備，研發(fā)速度實現(xiàn)跨越式提升 ——過去一款新設備的開發(fā)周期通常為3到5年，如今僅需2年甚至更短時間就能推出極具市場競爭力的產(chǎn)品并順利落地?！币緢蛘劦?。

具體來看新產(chǎn)品，在刻蝕技術(shù)方面，中微公司此次發(fā)布的兩款新品分別在極高深寬比刻蝕及金屬刻蝕領域為客戶提供了領先和高效的解決方案。其中，中微公司新一代極高深寬比等離子體刻蝕“利器”—— CCP電容性高能等離子體刻蝕機Primo UD-RIE?基于成熟的 Primo HD-RIE?設計架構(gòu)并全面升級，配備六個單反應臺反應腔，通過更低頻率、更大功率的射頻偏壓電源，提供更高離子轟擊能量，可以滿足極高深寬比刻蝕的嚴苛要求，兼顧刻蝕精度與生產(chǎn)效率。

同步亮相的Primo Menova? 12 寸ICP單腔刻蝕設備，專注于金屬刻蝕領域，尤其擅長金屬Al線、Al塊刻蝕，廣泛適用于功率半導體、存儲器件及先進邏輯芯片制造，是晶圓廠金屬化工藝的核心設備。今年6月，該設備的全球首臺機已付運到客戶認證，進展順利，并和更多的客戶展開合作。

在此次新品發(fā)布中，中微公司推出的12英寸原子層沉積產(chǎn)品 Preforma Uniflash?  金屬柵系列，成為薄膜沉積領域的一大亮點。該系列涵蓋Preforma Uniflash? TiN、Preforma Uniflash? TiAI及Preforma Uniflash? TaN三大產(chǎn)品，能夠滿足先進邏輯與先進存儲器件在金屬柵方面的應用需求。

中微公司在新興技術(shù)領域的布局同樣受到關(guān)注。據(jù)公司相關(guān)負責人介紹，公司發(fā)布的全球首款雙腔減壓外延設備PRIMIO Epita? RP，憑借獨特設計成為行業(yè)焦點。作為目前市場上獨有的雙腔設計外延減壓設備，其反應腔體積為全球最小，且可靈活配置多至6個反應腔，在顯著降低生產(chǎn)成本與化學品消耗的同時，實現(xiàn)了高生產(chǎn)效率。該設備搭載擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的雙腔設計、多層獨立控制氣體分區(qū)，以及具備多個徑向調(diào)節(jié)能力的溫場和溫控設計，確保了優(yōu)秀的流場與溫場均勻性及調(diào)節(jié)能力。憑借卓越的工藝適應性和兼容性，該設備可滿足從成熟到先進節(jié)點的邏輯、存儲和功率器件等多領域外延工藝需求。去年8月，該設備已付運到客戶進行成熟制程和先進制程驗證，進展順利。

資料顯示，作為國內(nèi)高端半導體設備制造的領軍者，中微公司等離子體刻蝕設備已應用于國際一線客戶從65納米到14納米、7納米、5納米及其他先進集成電路加工制造生產(chǎn)線，以及先進存儲、先進封裝生產(chǎn)線。其中，CCP電容性高能等離子體刻蝕機和ICP電感性低能等離子體刻蝕機可覆蓋國內(nèi)95%以上的刻蝕應用需求。截至2025年6月底，公司累計已有超6800臺等離子體刻蝕和化學薄膜設備的反應臺，在國內(nèi)外155條生產(chǎn)線實現(xiàn)量產(chǎn)和大規(guī)模重復性銷售。